合肥露笑半导体材料有限公司

在8英寸导电型碳化硅衬底研发与产业化领域

取得重大突破！

核心技术指标达到行业先进水平

晶体质量优异：公司已全面掌握8英寸导电型碳化硅晶体生长工艺参数之间的耦合关系，成功生长出高质量的8英寸碳化硅晶体。晶体结晶质量高，晶型控制稳定，确保了衬底的高性能和一致性。

关键参数达标：公司在8英寸导电型碳化硅衬底的关键参数，包括微管密度、表面粗糙度、位错密度、电阻率分布均匀性等，均已达到或优于行业主流标准。其中，微管密度极低，表面质量满足客户要求，为下游客户制造高性能、高可靠性的碳化硅功率器件奠定了坚实基础。

工艺技术成熟：公司拥有自主知识产权的生长设备和核心技术，实现了从原料合成、晶体生长、到衬底加工的全产业链技术布局。公司已建立起可重复的8英寸碳化硅衬底制造工艺体系，技术成熟度高。

未来展望与发展规划

基于8英寸导电型碳化硅衬底研发取得的突破性进展，公司对未来的发展充满信心，并制定了清晰的战略规划：

加速产能建设与释放

公司合肥基地一期项目已顺利投产，为公司提供了坚实的基础产能。在此基础上，公司正积极筹划二期扩产项目。二期项目将重点聚焦于8英寸衬底及外延片的产线建设，旨在快速形成规模化生产能力，以满足新能源汽车、光伏发电、储能及工业控制等领域对高性能8英寸碳化硅衬底日益增长的市场需求。

深化技术研发与创新

公司将继续加大研发投入，持续优化8英寸导电型碳化硅的生产工艺，进一步提升产品性能，降低制造成本。同时，公司将前瞻性地布局下一代碳化硅技术，积极探索更大尺寸衬底的研发，致力于保持在行业内的技术领先地位，巩固公司的核心竞争优势。

拓展市场应用与合作

随着8英寸碳化硅衬底产品的日趋成熟，公司将积极与国内外知名功率器件厂商、终端应用客户开展深度合作与产品验证。未来将进一步深化与上下游伙伴的战略协同，共同推动碳化硅技术在各领域的广泛应用，加速国产替代进程。

此次突破是合肥露笑半导体发展历程中的重要篇章，更是中国半导体材料自主创新之路上的坚实一步。未来，我们将继续秉持技术为本、产业报国的初心，持续创新，赋能产业，为中国半导体事业的发展贡献更多力量！