近日，北方华创自主研发的两款MOCVD（金属有机物化学气相沉积）外延设备（型号：Satur N800/ Satur V700）顺利通过行业龙头客户验收，并获得批量重复订单。北方华创自2010年启动外延装备的研发以来，经过十余年的技术沉淀与创新突破，实现了在硅薄膜外延设备领域4英寸到12英寸全覆盖，产品包括8英寸及以下的单片及多片大产能硅外延设备、12英寸硅外延设备，取得了多项技术创新和产业化成果，累计销售突破千腔，先后荣获“北京市科学技术进步一等奖”、首届“国家卓越工程师团队”、“北京市模范集体”等重量级荣誉，成为中国硅薄膜外延装备领域的引领者。凭借在硅外延设备领域的深厚积累，北方华创积极拓展化合物半导体外延设备研发，形成了GaN（氮化镓）、GaAs（砷化镓）、SiC（碳化硅）等化合物半导体材料外延设备的系列化产品。

MOCVD设备是一种利用金属有机化合物进行金属输送的气相外延生长设备。它需要在原子尺度上实现复杂材料的纳米精度控制、量子级界面控制。此外，还需具备高真空环境和高精度温控系统，以确保材料的纯度和生长的稳定性。

Satur系列MOCVD设备

GaN MOCVD外延设备

北方华创GaN MOCVD外延设备——Satur N800，面向8英寸硅基氮化镓功率器件的特殊需求设计，具备大面积均匀温度场、大范围稳定可调气流场，以及多片式（Batch）大产能和自动化配置，能够满足化合物半导体先进器件对外延层组分、厚度和掺杂均匀性的高要求。目前，Satur N800已进入国内多家化合物半导体客户端，顺利通过芯片验证并稳定运行，实现批量出货，并不断获得重复订单。

GaAs MOCVD外延设备

北方华创GaAs MOCVD外延设备——Satur V700，成功突破了气流场、温度场、副产物控制等关键技术，具备高均匀性、大产能、低成本等优势。该设备不仅能够满足Micro LED行业的痛点需求，还可广泛应用于射频、光电子等领域。目前，Satur V700已批量出货多家客户，并通过了严格的芯片验证，凭借其良好性能，持续获得客户的大量重复订单。

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