创新领航，赋能未来。3月20日，在全球规模最大的SEMICON China 2024上海国际半导体展期间，晶盛机电发布了8英寸双片式碳化硅外延设备、8英寸碳化硅量测设备、12英寸全自动减薄抛光设备，标志着晶盛半导体设备链“图谱”再度扩员，将加速产业“强链补链延链”，推动半导体产业高端化、智能化、绿色化发展。

此次发布会以“创芯 智造 领航”为主题，行业专家、客户代表及投资界代表等近百人出席，共同见证新品发布的重要时刻。

随着人工智能的快速发展，以及5G、新能源汽车等新兴产业的推动，半导体作为基础性先导性产业的核心战略作用更加突出。晶盛在围绕SiC半导体产业链国产自主目标下，相继研发了6英寸双片式碳化硅外延设备与8英寸单片式碳化硅外延设备，今年再次推出行业领先的8英寸双片式碳化硅外延设备。

作为半导体核心装备产业链升级引领者，晶盛机电秉持“不领先不投产”的研发理念，打破产业链技术壁垒，赋能客户价值，助力行业高质量可持续发展。

01 碳化硅外延设备

8英寸双片式碳化硅外延设备

SiC EP200D-ZJS具备单腔同时加工2片8英寸晶圆的能力，设备单位产能提升80%，生产成本降低30%，同时EP200D搭载了目前最新的外延掺杂工艺包、全自动化上料模块以及AI大数据分析平台EAP接口，可实现基于C2C模式的大规模外延量产方案。

02 碳化硅量测设备

SiC外延片光学量测设备

EM200A-ZJS采用傅里叶变换红外光谱技术，对6/8英寸的SiC外延片进行非接触式的外延层膜厚及整体均匀性的测量，该设备内置了两套自主研发算法，实现缓冲层和外延层的计算，用户可根据自身工艺、膜层厚度及晶圆生长结构进行算法选择和调整。

SiC晶圆表面形貌量测设备

FM200A-ZJS采用掠入射移相干涉技术，对2-8英寸SiC衬底片以及外延片的平坦度和厚度进行非接触式的高精度测量。设备支持定制化数据分析功能开发及自定义被测晶圆的分选标准，可根据设定标准对晶圆进行分选下片。

03 减薄抛光设备

12英寸减薄抛光机

WGP12T-ZJS采用空气主轴带动砂轮高速旋转，以IN-Feed方式对8-12英寸晶圆进行磨削的减薄设备，可稳定实现厚度100μm以下的薄片化加工，可与贴膜机联机使用，一次性完成晶圆撕贴膜作业。

WGP12THC-ZJS是根据当前先进封装等市场需求开发的超精密晶圆减薄设备。集成先进的超精密磨削、CMP及清洗工艺，配置卓越的厚度偏差与表面缺陷控制技术，极大满足了3DIC制造、先进封装等领域中晶圆超精密减薄技术需求。

未来，晶盛将继续聚焦“打造半导体材料装备领先企业，发展绿色智能高科技制造产业”使命，以科技创新推动产业创新，持续扩大研发规模，加速核心技术迭代，在半导体技术和产品层面不断突破，为全球客户提供全产业链的高端装备和高品质服务，赋能新质生产力，助推半导体产业持续向高攀登、向新发展。

责任编辑：TY