9月26日，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化，标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进，迈入高效智造新阶段。 

SiC是第三代半导体材料的核心代表，因其耐高压、高频、高效等特性，广泛应用于新能源汽车、智能电网、5G通信等重点行业。同时，在AR设备、CoWoS先进封装中间基板等新兴应用领域，SiC也正逐步成为推动技术突破的关键材料。相较于8英寸产品，12英寸产品单片晶圆芯片产出量增加约2.5倍，能够在大规模生产中显著减少长晶、加工、抛光等环节的单位成本，是大幅降低下游应用成本的关键路径。

 浙江晶瑞SuperSiC此次贯通的中试线，覆盖了晶体加工，切割，减薄，倒角，研磨，抛光，清洗，检测的全流程工艺，所有环节均采用国产设备与自主技术，高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机等核心加工设备更是由公司历时多年自研攻关完成，性能指标达到行业领先水平。自此，晶盛机电正式形成了12英寸SiC衬底从装备到材料的完整闭环，彻底解决了关键装备“卡脖子”风险，为下游产业提供了成本与效率的新基准。

浙江晶瑞SuperSiC作为晶盛机电子公司，始终专注于碳化硅和蓝宝石抛光片等化合物半导体材料的研发与生产。此次12英寸SiC中试线的正式通线是晶盛机电坚持“先进材料、先进装备”双引擎发展战略的重大成果，更是我国半导体高端装备制造能力的一次集中展示。

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